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贴片三极管振荡电路的基本原理


  振荡电路,是指用电感L、电容C组成选频网络的振荡电路,用于产生高频正弦波信号,常见的LC正弦波振荡电路有变压器反馈式LC振荡电路、电感三点式LC振荡电路和电容三点式LC振荡电路。LC振荡电路的辐射功率是和振荡频率的四次方成正比的,要让LC振荡电路向外辐射足够强的电磁波,必须提高振荡频率,并且使电路具有开放的形式。振荡电路是将电源的直流电能,转变成一定频率的交流信号的电路,作用是产生交流电振荡,作为信号源。贴片三级管振荡电路是常见的一种振荡电路。
  贴片三极管振荡电路的基本原理
  由上图可见,这个电路是由两个非门(反相器)用电容C1,C2构成的正反馈闭合环路。三级管Q1的集电极输出接在Q2的基集输入,Q2的集电极输出又接在Q1的基极输入。电路接通电源后,通过基极电阻R2,R3同时向两个三极管Q1,Q2提供基极偏置电流。使两个三极管进入放大状态。虽然两个三级管型号一样对称。但电路参数总会存在微小的差异,也包括两个三极管本身,也就是说T1,T2的导通程度不可能完全相同,假设Q1导通快些,则D点的电压就会降的快些。这个微小的差异将被Q2放大并反馈到Q1的基极,再经过Q1的放大,形成连锁反应,迅速使Q1饱和,Q2截止,D点变成低电平“0”,C点变成高电平“1”。
  Q1饱和后相当于一个接通的开关,电容C1通过他放电。C2通过它充电。随着C1的放电,由于有正电源VCC的作用,Q2的基极电压逐渐升高,当A点电压达到0.7V后,Q2开始导通进入放大区,电路中又会立刻出现连锁反应,是Q2迅速饱和,Q1截止,C点电位变电平“0”。D点电位变高电平“1”。这个时候电容C2放电,C1充电。这一充放电过程又会使Q1重新饱和,Q2截止。如此周而复始,形成振荡。
  由上可以知道通过改变C1,C2的电容大小,可以改变电容的充放电的时间,从而改变振荡频率。
  只读存储器M95512-WMN6TP
  产品种类: 电可擦除可编程只读存储器
  RoHS:  详细信息
  安装风格: SMD/SMT
  封装 / 箱体: SOIC-8
  存储容量: 512 kbit
  组织: 64 k x 8
  接口类型: Serial, 4-Wire, SDI, SPI
  访问时间: 60 ns
  数据保留: 40 Year
  最大时钟频率: 5 MHz
  电源电流—最大值: 2 mA
  电源电压-最小: 2.5 V
  电源电压-最大: 5.5 V
  最小工作温度: - 40 C
  最大工作温度: + 85 C
  系列: M95512-W
  封装: Cut Tape
  封装: MouseReel
  封装: Reel
  高度: 1.65 mm (Max)
  长度: 5 mm (Max)
  宽度: 4 mm (Max)
  商标: STMicroelectronics
  CNHTS: 8542319000
  HTS Code: 8542320051
  MXHTS: 85423299
  工作电源电流: 6 mA
  工作电源电压: 3.3 V, 5 V
  产品类型: EEPROM
  编程电压: 2.5 V to 5.5 V
  工厂包装数量: 2500
  子类别: Memory & Data Storage
  TARIC: 8542327500
  单位重量: 540 mg
  存储器类型:非易失
  技术:EEPROM
  存储容量:512Kb (64K x 8)
  时钟频率:16MHz
  写周期时间-字,页:5ms
  存储器接口:SPI
  电压-电源:2.5 V ~ 5.5 V
  工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)
  安装类型:表面贴装
  封装/外壳:8-SO
  速度:10MHz
  接口:SPI 串行
 


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